パワーGaN半導体の結晶成長技術、デバイス・プロセス技術の開発

【詳細】

【具体的には】
■パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発
・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発
・安定生産を実現する量産化技術の開発
■パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発
・化合物半導体（GaN系）のプロセス要素技術開発（成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など）
・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発（電極構造の形成、共振器構造の形成など）
・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価

【変更の範囲】

同社業務全般

【契約の更新】

無期雇用のため該当なし

【契約更新上限の有無】

無期雇用のため該当なし

【労働契約の期間】

無期雇用

【年収】

550万円～1150万円
※あくまでも目安であり、正式には社内規定やご経験、前職給与額などに沿って決定いたします。

【月収】

月給：270,000円～630,000円
昇給・賞与：昇給年1回、賞与年2回（7月、12月）

【市区町村】

富山県魚津市

【勤務場所】

富山県魚津市東山800
※在宅勤務制度あり

【勤務地（変更の範囲）】

会社の定める場所

【勤務時間】

フレックスタイム制（コアタイム：無）
所定労働時間 7時間45分　休憩45分　※標準就業時間　8:30～17:00

【時間外労働】

有

【フレックス勤務】

有り

【休日休暇】

年間休日日数127日
完全週休2日制（休日は土日祝日）、年次有給休暇25日（初年度は入社日時点で入社月に応じて3～22日を付与、翌年度以降25日付与）、年末年始休暇、夏季休暇、年次有給休暇、慶弔休暇、長期節目休暇　など

【福利厚生】

通勤手当、家族手当、住宅手当、寮社宅、健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、厚生年金基金、退職金制度（※企業型確定拠出年金制）、カフェテリアプラン（福利厚生ポイント年12万円分）
■制度：持株制度、財形貯蓄制度、企業年金制度 等
■施設：保養施設、医療施設 等

【受動喫煙防止措置】

屋内原則禁煙（喫煙室あり）

【試用期間】

3か月

【試用期間中の待遇】

条件変更なし